کد کالا: ER-61441
اس اس دی اینترنال سامسونگ 990 EVO Plus ظرفیت 1 ترابایت
Samsung 990 EVO Plus 1TB Gen 4x4, Gen 5x2 NVMe M.2 SSD
گارانتی محصول
- ابعاد
- 80x22x2.3 میلی متر
- وزن
- 9 گرم
- ظرفیت
- 1 ترابایت
- مدل اس اس دی
- 990 Evo Plus
- فرم فاکتور
- M.2 2280
- خنک کننده هیت سینک
- ندارد
- نوع حافظه
- اینترنال
حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO Plus با حافظه 1 ترابایتی یک اس اس دی نسل پنج که سرعت نوشتن 6,300 MB/s و سرعت خواندن 7250 MB/s می تواند گزینه بسیار خوبی برای مادربرد هایی نسل 5 هستند باشد ، در کنار ان می توان روی مادربرد های نسل 4 ساپورت می کنند، وصل کرد. فناوری حافظه فلش V-NAND 3-bit MLC تکنولوژی است، که طراحی منحصر به فرد ان که ، 32 لایه سلول 3 بیتی که دارد ،سلول ها فضای بسیار کمی را اشغال می کند ، هم از لحاظ طول و عرضی و در کنار ان سلول ها روی هم دیگه قرار می گیرد. از نکات بسیار مثبت ان می توان به راندمان انرژی ان به همراه از دست ندادن سرعت و عملکرد ان اشاره کرد ، که این امر باعث کاهش دما ان می شود که باعث عمر طولانی ان می شود .
درخواست خرید عمده و قیمت همکار
برای دریافت قیمتِ ویژه و مشاوره، درخواستِ خود را ثبت کنید
موجود در انبار
۴۳,۱۶۰,۰۰۰تومان
مشخصات فنی
- ابعاد
- 80x22x2.3 میلی متر
- وزن
- 9 گرم
- ظرفیت
- 1 ترابایت
- مدل اس اس دی
- 990 Evo Plus
- فرم فاکتور
- M.2 2280
- خنک کننده هیت سینک
- ندارد
- نوع حافظه
- اینترنال
- حداکثر سرعت خواندن ترتیبی
- 7,250 MB/s
- حداکثر سرعت نوشتن ترتیبی
- 6300 MB/s
- مقاومت در برابر شوک
- 1500G/0.5ms
- میزان مقاومت در برابر شوک
- 1500G
- میانگین عمر
- تا 1.5 میلیون ساعت
- دمای عملیاتی
- 0 تا 70 درجه سانتی گراد
- رابط
- PCIe Gen 4 x4, NVMe 2.0 5.0 x2 NVMe™ 2.0
- نوع حافظه فلش
- Samsung V-NAND 3-bit MLC
- سایر قابلیتها
- قابلیت TRIM قابلیت S.M.A.R.T
سایر کانفیگهای این محصول

اس اس دی اینترنال سامسونگ 990 EVO Plus ظرفیت 2 ترابایت
موجود۶۹,۱۶۰,۰۰۰ تومان
اس اس دی اینترنال سامسونگ 990 EVO Plus ظرفیت 4 ترابایت
موجود۱۳۷,۲۸۰,۰۰۰ تومان
حافظه اس اس دی سامسونگ مدل 990 EVO Plus با حافظه 1 ترابایتی یک اس اس دی نسل پنج که سرعت نوشتن 6,300 MB/s و سرعت خواندن 7250 MB/s می تواند گزینه بسیار خوبی برای مادربرد هایی نسل 5 هستند باشد ، در کنار ان می توان روی مادربرد های نسل 4 ساپورت می کنند، وصل کرد. فناوری حافظه فلش V-NAND 3-bit MLC تکنولوژی است، که طراحی منحصر به فرد ان که ، 32 لایه سلول 3 بیتی که دارد ،سلول ها فضای بسیار کمی را اشغال می کند ، هم از لحاظ طول و عرضی و در کنار ان سلول ها روی هم دیگه قرار می گیرد. از نکات بسیار مثبت ان می توان به راندمان انرژی ان به همراه از دست ندادن سرعت و عملکرد ان اشاره کرد ، که این امر باعث کاهش دما ان می شود که باعث عمر طولانی ان می شود .
—
از مجموع ۰ نظر
هنوز نظری برای این محصول ثبت نشده است. اولین نفر باشید!
دیدگاه خود را بنویسید
برای ثبت نظر ابتدا وارد شوید.









